核心提示：据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒-10年）的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍。
4月11日，复旦大学微电子学院教授张卫、周鹏团队成员刘春森在实验室内对硅片进行切割。 新华社记者 丁汀 摄 图片来源：新华网
国际半导体电荷存储技术中，“写入速度”与“非易失性”两种性能一直难以兼得。记者从复旦大学微电子学院获悉，该校张卫、周鹏教授团队研发出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器件，开创了第三类存储技术，不仅可以实现“内存级”的数据读写速度，还可以按需定制存储器的数据存储周期。
据介绍，此次研发的新型电荷存储技术，既满足了10纳秒写入数据速度，又实现了按需定制（10秒-10年）的可调控数据准非易失特性，写入速度比目前U盘快10000倍，数据刷新时间是内存技术的156倍。（记者 罗晓娜）
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